类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 输出电压 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 最大rds | 高度 | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||
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RFP50N06R4034 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD20N03SM9AR4761 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM9AS2551 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP30N6LER4541 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S25N06SMR4643 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HIP2060ASE | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD8P05SM9AS2463 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S15N06 | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Harris Corporation | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HP4936DYT | Harris Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | Harris Corporation | 活跃 | Bulk | 5.8A (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 2W (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 37mOhm @ 5.8A, 10V | 1V @ 250μA | 625pF @ 25V | 25nC @ 10V | 30V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJ3139KDW-G | Comchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 660mA Ta | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150mW | 未说明 | 未说明 | 2 P-Channel (Dual) | 520m Ω @ 1A, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 170pF @ 16V | 20V | 660mA | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPS1120D | Texas Instruments | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 13 ns | -40°C~150°C TJ | Tube | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | -15V | 840mW | 鸥翼 | 260 | -1.7A | TPS1120 | 8 | -15V | 增强型MOSFET | 840mW | 4.5 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 180m Ω @ 1.5A, 10V | 1.5V @ 250μA | 5.45nC @ 10V | 10ns | 10 ns | 1.17A | -1.25V | 2V | 0.4Ohm | 15V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 1.75mm | 4.9mm | 3.91mm | 1.58mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPS1120DG4 | Texas Instruments | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOIC | 8 | 2 | 840mW | 13 ns | e4 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 125°C | -40°C | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | DUAL | 鸥翼 | 260 | 8 | 增强型MOSFET | 840mW | 4.5 ns | SWITCHING | 10ns | -15V | P-CHANNEL | 10 ns | 1.17A | 2V | 15V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 180mOhm | 180 mΩ | 1.58mm | 4.9mm | 3.91mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 320mW | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 320mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 2 Ω @ 50mA, 5V | 1V @ 250μA | 28.5pF @ 30V | 0.4nC @ 4.5V | 60V | 350mA | 0.35A | 3.5Ohm | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMD65P02N8TA | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 73.992255mg | 2 | 57.9 ns | 4A | Tape & Reel (TR) | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 哑光锡 | 150°C | -55°C | 低阈值 | -20V | 1.75W | 鸥翼 | 260 | -4.4A | 40 | ZXMD65P02 | 8 | 2 | 增强型MOSFET | 2W | 6.6 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 50m Ω @ 2.9A, 4.5V | 700mV @ 250μA (Min) | 960pF @ 15V | 20nC @ 4.5V | 29.9ns | 20V | 29.9 ns | 5.1A | 12V | 4A | 0.05Ohm | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M51FRATB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 3A Ta 2.5A Ta | 2 | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2017 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 170m Ω @ 3A, 10V, 290m Ω @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 610pF @ 10V 1550pF @ 25V | 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V | 100V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 3A | 0.19Ohm | 12A | 100V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N37FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | 13 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 250mA Ta | 150°C | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 300mW | 2 N-Channel (Dual) | 2.2 Ω @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 12pF @ 10V | 20V | Logic Level Gate, 1.5V Drive | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5075 | Sanken | 数据表 | 73 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 通孔 | 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads | SILICON | 6 | 150°C TJ | Tube | 2001 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | 8541.29.00.95 | 5W | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 15 | R-PSFM-T15 | 不合格 | COMPLEX | 增强型MOSFET | 5W | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | SWITCHING | 1.4 Ω @ 2.5A, 10V | 4V @ 1mA | 770pF @ 10V | 500V | 5A | 5A | 10A | 500V | 45 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDC6036P | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP | SuperSOT™-6 | 5A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 900mW | 2 P-Channel (Dual) | 44mOhm @ 5A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 992pF @ 10V | 14nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002VA-7-F | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SOT-563 | 3.005049mg | 280mA | 20 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 60V | 150mW | 280mA | 2 | Dual | 150mW | 20 ns | 150mW | 2 N-Channel (Dual) | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 2.5V @ 250μA | 50pF @ 25V | 60V | 280mA | 20V | 70V | 50pF | Standard | 13.5Ohm | 7.5 Ω | 600μm | 1.6mm | 1.2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO8804L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.5W | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 13m Ω @ 8A, 10V | 1V @ 250μA | 1810pF @ 10V | 17.9nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK1949L-E | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | Bulk | 活跃 | DPAK-3 | IN-LINE | 1 | Renesas Electronics America Inc | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 2SK1949L-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.12 | 5 A | * | e6 | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 雪崩 额定 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 3 | R-PSIP-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.2 Ω | 20 A | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS50KM-2-J2#E52 | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Renesas Electronics America Inc | Bulk | 活跃 | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4842L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2008 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 22m Ω @ 7.5A, 10V | 2.6V @ 250μA | 448pF @ 15V | 11nC @ 10V | 30V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8K5TB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | e2 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Copper (Sn/Cu) | 30V | 2W | 鸥翼 | 260 | 3.5A | 10 | *K5 | 8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 83m Ω @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 140pF @ 10V | 3.5nC @ 5V | 6ns | 3.5A | 0.15Ohm | 14A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6723M2DTR1P | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DirectFET™ Isometric MA | YES | 15A | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | compliant | IRF6723M2DPBF | 增强型MOSFET | 2.7W | 2 N-Channel (Dual) | 6.6m Ω @ 15A, 10V | 2.35V @ 25μA | 1380pF @ 15V | 14nC @ 4.5V | 30V | 47A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 25W | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 |
RFP50N06R4034
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RFD20N03SM9AR4761
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RF1S50N06SM9AS2551
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RFP30N6LER4541
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RF1S25N06SMR4643
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
HIP2060ASE
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RFD8P05SM9AS2463
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
RF1S15N06
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
HP4936DYT
Harris Corporation
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CJ3139KDW-G
Comchip Technology
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TPS1120D
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TPS1120DG4
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN61D9UDW-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ZXMD65P02N8TA
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP8M51FRATB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.376922
SLA5075
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDC6036P
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2N7002VA-7-F
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO8804L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SK1949L-E
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FS50KM-2-J2#E52
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO4842L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP8K5TB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF6723M2DTR1P
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
